为什么3C碳化硅被誉为2025年半导体行业颠覆者3C-SiC（立方晶系碳化硅）凭借其高临界击穿场强、优异热导率及宽禁带特性，已成为电力电子和射频器件领域最具潜力的第三代半导体材料。2025年随着6英寸衬底良品率突破85%和成本下降40%，...

06-244第三代半导体宽禁带材料功率器件革新新能源技术5G基础材料